PECVD等离子体增强化学气相沉积系统

PECVD 等离子体增强化学气相沉积系统PD-220系列

简要描述：等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态，在目标基材上产生活性自由基和离子，使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。在化合物半导体和硅半导体的制造过程中，用于沉积作为钝化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作为层间绝缘膜的氧化硅薄膜（SiO₂）。

更新时间：2026/3/25 3:14:33

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产品型号：PD-220系列

等离子体增强型CVD设备 PD-2201LC 节省空间的生产系统

概要

PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。
该系统在节省空间的前提下提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。

主要特点和优点

• 最大加工范围：ø220 mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)

• 优异的均匀性和应力控制

• 卓越的工艺稳定性和可重复性

• 坚固的系统，最低的运行/维护成本

• 用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储

• PD-2201LC设计时尚、节省空间，只需最小的洁净室空间

• 双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制

应用

• SiH4-SiNx

• SiH4-SiO2

• 液体前驱体(SN-2)SiNx。

• TEOS-SiO2

等离子体增强型CVD设备 PD-220NL 紧凑的研发用负载锁定系统

概要

PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。
该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。

主要特点和优点

• 最大加工范围：ø220 mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)

• 优异的均匀性和应力控制

• 卓越的工艺稳定性和可重复性

• 坚固的系统，最低的运行/维护成本

• 用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。

• PD-220NL设计时尚、紧凑，只需最小的洁净室空间。

• 双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。

应用

• SiH4-SiNx
SiH4-SiO2
液体前驱体(SN-2)SiNx。
TEOS-SiO2

等离子体增强型CVD设备 PD-220N 研究开发用等离子体CVD设备

概要

PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。从尖端研究到半大规模生产，它的应用范围很广。

主要特点和优点

可在ø8英寸晶圆上沉积
尽管设计紧凑，但该系统能够在5块ø3英寸晶圆、3块ø4英寸晶圆和1块ø8英寸晶圆上同时沉积。

TEOS-SiO2成膜系统可扩展
可增加TEOS等温室装置。 (这是一个选项)

应用

各种硅基薄膜的形成
可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。

选项

可以增加形成TEOS-SiO2薄膜的TEOS等温室装置。